反向传输电容(Crss):36pF@30V,导通电阻(RDS(on)):82mΩ@4.5V,5A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):15.6nC@50V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):30W,输入电容(Ciss):525pF@50V,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 36pF@30V | |
导通电阻(RDS(on)) | 82mΩ@4.5V,5A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 15.6nC@50V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
耗散功率(Pd) | 30W | |
输入电容(Ciss) | 525pF@50V | |
连续漏极电流(Id) | 15A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.797/个 |
50+ | ¥0.653/个 |
150+ | ¥0.581/个 |
500+ | ¥0.527/个 |
2500+ | ¥0.423/个 |
5000+ | ¥0.401/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.38916
2500 PCS/盘
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