上升时间(tr):25ns,下降时间(tf):20ns,传播延迟 tpHL:-,传播延迟 tpLH:-,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:4.5V~20V,拉电流(IOH):1.2A,灌电流(IOL):1.4A,特性:-,负载类型:IGBT,负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):-0.3V~1V,输入高电平(VIH):2.5V,静态电流(Iq):1uA,驱动通道数:3,驱动配置:半桥,驱动配置:三相
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 电机驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 25ns | |
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压 | 4.5V~20V | |
| 拉电流(IOH) | 1.2A | |
| 灌电流(IOL) | 1.4A | |
| 特性 | - | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | -0.3V~1V | |
| 输入高电平(VIH) | 2.5V | |
| 静态电流(Iq) | 1uA | |
| 驱动通道数 | 3 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 驱动配置 | 三相 |