上升时间(tr):125ns,下降时间(tf):50ns,传播延迟 tpHL:400ns,传播延迟 tpLH:425ns,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:10V~20V,拉电流(IOH):200mA,灌电流(IOL):350mA,特性:欠压保护(UVP),特性:过流保护(OCP),负载类型:IGBT,负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):0.8V,输入高电平(VIH):3V,静态电流(Iq):1mA,驱动通道数:6,驱动配置:半桥,驱动配置:三相
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 电机驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 125ns | |
| 下降时间(tf) | 50ns | |
| 传播延迟 tpHL | 400ns | |
| 传播延迟 tpLH | 425ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 拉电流(IOH) | 200mA | |
| 灌电流(IOL) | 350mA | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 特性 | 过流保护(OCP) | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | 0.8V | |
| 输入高电平(VIH) | 3V | |
| 静态电流(Iq) | 1mA | |
| 驱动通道数 | 6 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 驱动配置 | 三相 |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.25/个 |
| 10+ | ¥5.09/个 |
| 26+ | ¥4.55/个 |
| 104+ | ¥3.97/个 |
| 494+ | ¥3.62/个 |
| 988+ | ¥3.44/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.186
26 PCS/盘
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