反向传输电容(Crss):31pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.05Ω@10V,3.2A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):12nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):27W,输入电容(Ciss):270pF@25V,连续漏极电流(Id):3.8A,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 31pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.05Ω@10V,3.2A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 27W | |
输入电容(Ciss) | 270pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.653/个 |
50+ | ¥1.299/个 |
150+ | ¥1.147/个 |
500+ | ¥0.958/个 |
3000+ | ¥0.845/个 |
6000+ | ¥0.794/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.784
3000 PCS/盘
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