导通电阻(RDS(on)):0.036Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):0.055Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个P沟道,栅极电荷量(Qg):13nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.85W,连续漏极电流(Id):5.2A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.036Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.055Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.85W | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.401/个 |
| 10+ | ¥5.279/个 |
| 30+ | ¥4.658/个 |
| 100+ | ¥3.961/个 |
| 500+ | ¥3.494/个 |
| 1000+ | ¥3.349/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.349
3000 PCS/盘