导通电阻(RDS(on)):0.01Ω@4.5V,导通电阻(RDS(on)):0.012Ω@2.5V,导通电阻(RDS(on)):0.016Ω@1.8V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):46nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.5W,连续漏极电流(Id):9A,阈值电压(Vgs(th)):1V@450uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.01Ω@4.5V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.012Ω@2.5V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.016Ω@1.8V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 46nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.5W | |
连续漏极电流(Id) | 9A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V@450uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.771/个 |
10+ | ¥2.703/个 |
30+ | ¥2.661/个 |
100+ | ¥2.618/个 |
102+ | ¥2.618/个 |
104+ | ¥2.618/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.618
3000 PCS/盘