反向传输电容(Crss):715pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.005Ω@10V,30A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):240nC@15V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):3.75W,输入电容(Ciss):8000pF@25V,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 715pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.005Ω@10V,30A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 240nC@15V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 3.75W | |
输入电容(Ciss) | 8000pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 100A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥4.66/个 |
10+ | ¥4.56/个 |
30+ | ¥4.5/个 |
100+ | ¥4.43/个 |
102+ | ¥4.43/个 |
104+ | ¥4.43/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.0756
2500 PCS/盘
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