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VBE2610N
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- VBE2610N
- 商品编号
- C480956
- 商品封装
- TO-252-2
- 商品毛重
- 0.00245千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):100pF,导通电阻(RDS(on)):0.072Ω@4.5V,2A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):10nC,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):34W,输入电容(Ciss):1000pF,连续漏极电流(Id):25A,阈值电压(Vgs(th)):2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.072Ω@4.5V,2A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W | |
| 输入电容(Ciss) | 1000pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.76/个 |
| 10+ | ¥3.06/个 |
| 30+ | ¥2.71/个 |
| 100+ | ¥2.36/个 |
| 500+ | ¥1.99/个 |
| 1000+ | ¥1.88/个 |
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