温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
VBFB1102M
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- VBFB1102M
- 商品编号
- C480961
- 商品封装
- TO-251
- 商品毛重
- 0.000599千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):34pF,导通电阻(RDS(on)):0.2Ω@10V,5.5A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):16nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):60W,输入电容(Ciss):360pF,输出电容(Coss):150pF,连续漏极电流(Id):12A,阈值电压(Vgs(th)):3V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.2Ω@10V,5.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF | |
| 输出电容(Coss) | 150pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
数据手册PDF
放大查看阶梯价格(含税价)
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.142/个 |
| 10+ | ¥1.7/个 |
| 30+ | ¥1.513/个 |
| 80+ | ¥1.131/个 |
| 480+ | ¥1.0285/个 |
| 800+ | ¥0.961/个 |
| 1600+ | ¥0.952/个 |
| 4000+ | ¥0.944/个 |
嘉立创SMT补贴
整盘
单价
整盘单价¥1.0918
80 PCS/盘
省
嘉立创补贴3.47%
一盘能省掉3.136元
库存总量
9 PCS电话
顶部
元器件购物车