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VBFB1311
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- VBFB1311
- 商品编号
- C480966
- 商品封装
- TO-251
- 商品毛重
- 0.000585千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):150pF,导通电阻(RDS(on)):7mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):9mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):33nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):28W,输入电容(Ciss):1700pF,输出电容(Coss):200pF,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 28W | |
| 输入电容(Ciss) | 1700pF | |
| 输出电容(Coss) | 200pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.117/个 |
| 10+ | ¥1.675/个 |
| 30+ | ¥1.488/个 |
| 80+ | ¥1.156/个 |
| 480+ | ¥1.054/个 |
| 960+ | ¥0.995/个 |
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