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VBL2309
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- VBL2309
- 商品编号
- C480993
- 商品封装
- TO-263
- 商品毛重
- 0.00369千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):570pF@15V,导通电阻(RDS(on)):0.008Ω@10V,30A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):56nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):3.7W,输入电容(Ciss):4550pF@15V,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 570pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.008Ω@10V,30A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 输入电容(Ciss) | 4550pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
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