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VBL2610N
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- VBL2610N
- 商品编号
- C480994
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 商品毛重
- 0.00375千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):110pF,导通电阻(RDS(on)):0.064Ω@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):12.5nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):6W,输入电容(Ciss):1000pF,输出电容(Coss):210pF,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.064Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 6W | |
| 输入电容(Ciss) | 1000pF | |
| 输出电容(Coss) | 210pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.121/个 |
| 10+ | ¥4.218/个 |
| 30+ | ¥3.762/个 |
| 100+ | ¥3.306/个 |
| 500+ | ¥2.556/个 |
| 800+ | ¥2.423/个 |
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