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VBM1201M
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- VBM1201M
- 商品编号
- C481003
- 商品封装
- ITO-220AB-3
- 商品毛重
- 0.00277千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):80pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.11Ω@10V,3A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):200V,耗散功率(Pd):126W,输入电容(Ciss):1800pF@25V,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.11Ω@10V,3A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 耗散功率(Pd) | 126W | |
| 输入电容(Ciss) | 1800pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.151/个 |
| 10+ | ¥4.182/个 |
| 50+ | ¥3.468/个 |
| 100+ | ¥2.984/个 |
| 500+ | ¥2.695/个 |
| 1000+ | ¥2.55/个 |
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