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VBMB165R18
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- VBMB165R18
- 商品编号
- C481038
- 商品封装
- TO-220F
- 商品毛重
- 0.00233千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):120pF,导通电阻(RDS(on)):0.36Ω@10V,11A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):71nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):68W,输入电容(Ciss):3322pF,连续漏极电流(Id):16A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.36Ω@10V,11A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 输入电容(Ciss) | 3322pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.684/个 |
| 10+ | ¥4.582/个 |
| 30+ | ¥4.514/个 |
| 100+ | ¥4.446/个 |
| 500+ | ¥4.446/个 |
| 1000+ | ¥4.446/个 |
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