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VBQA2305
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- VBQA2305
- 商品编号
- C481052
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 商品毛重
- 0.0021千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):1215pF,导通电阻(RDS(on)):0.004Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):0.006Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):130nC@10V,栅极电荷量(Qg):78nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):110W,输入电容(Ciss):7050pF,输出电容(Coss):1375pF,连续漏极电流(Id):120A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1215pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.004Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.006Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 输入电容(Ciss) | 7050pF | |
| 输出电容(Coss) | 1375pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.931/个 |
| 10+ | ¥4.826/个 |
| 30+ | ¥4.75/个 |
| 100+ | ¥4.684/个 |
| 102+ | ¥4.684/个 |
| 104+ | ¥4.684/个 |
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