反向传输电容(Crss):820pF@15V,导通电阻(RDS(on)):0.008Ω@10V,20A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):66nC@5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):3.1W,输入电容(Ciss):4620pF@15V,连续漏极电流(Id):47.3A,阈值电压(Vgs(th)):-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 820pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.008Ω@10V,20A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 4620pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 47.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.72/个 |
| 10+ | ¥2.661/个 |
| 30+ | ¥2.627/个 |
| 100+ | ¥2.584/个 |
| 102+ | ¥2.584/个 |
| 104+ | ¥2.584/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.502
5000 PCS/盘
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