导通电阻(RDS(on)):35mΩ@4.5V,5.1A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):25nC@4.5V,漏源电压(Vdss):12V,耗散功率(Pd):1.25W,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):1225pF@6V,连续漏极电流(Id):5.1A,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V,5.1A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 12V | |
耗散功率(Pd) | 1.25W | |
耗散功率(Pd) | 2.5W | |
输入电容(Ciss) | 1225pF@6V | |
连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.331/个 |
50+ | ¥1.049/个 |
150+ | ¥0.928/个 |
500+ | ¥0.777/个 |
3000+ | ¥0.617/个 |
6000+ | ¥0.577/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.594
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