反向传输电容(Crss):260pF,导通电阻(RDS(on)):35mΩ@4.5V,5.1A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):25nC@4.5V,漏源电压(Vdss):12V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.25W,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):1225pF@6V,输出电容(Coss):315pF,连续漏极电流(Id):5.1A,阈值电压(Vgs(th)):1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V,5.1A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 1225pF@6V | |
| 输出电容(Coss) | 315pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.267/个 |
| 50+ | ¥1.0014/个 |
| 150+ | ¥0.888/个 |
| 500+ | ¥0.746/个 |
| 3000+ | ¥0.596/个 |
| 6000+ | ¥0.558/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.558
3000 PCS/盘
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