反向传输电容(Crss):3.15pF,导通电阻(RDS(on)):0.18Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):39nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):1748pF,输出电容(Coss):68.6pF,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V@0.25mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.15pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.18Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1748pF | |
| 输出电容(Coss) | 68.6pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@0.25mA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥9.88/个 |
| 10+ | ¥8.04/个 |
| 50+ | ¥7.02/个 |
| 100+ | ¥5.87/个 |
| 500+ | ¥5.36/个 |
| 1000+ | ¥5.14/个 |
整盘
单价
整盘单价¥6.4584
50 PCS/盘
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