反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):2.5Ω@10V,0.95A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):4.7nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):18W,输入电容(Ciss):114pF@100V,连续漏极电流(Id):1.9A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V,0.95A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 4.7nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
耗散功率(Pd) | 18W | |
输入电容(Ciss) | 114pF@100V | |
连续漏极电流(Id) | 1.9A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.402/个 |
10+ | ¥1.0897/个 |
30+ | ¥0.956/个 |
72+ | ¥0.789/个 |
504+ | ¥0.714/个 |
1008+ | ¥0.67/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.72588
72 PCS/盘
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