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LNE08R085
扩展库- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 厂家型号
- LNE08R085
- 商品编号
- C483709
- 商品封装
- TO-263
- 商品毛重
- 0.001573千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
导通电阻(RDS(on)):11mΩ@4.5V,10A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):127nC@10V,漏源电压(Vdss):80V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):147W,连续漏极电流(Id):80A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@4.5V,10A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 127nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 147W | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.97/个 |
| 10+ | ¥3.05/个 |
| 30+ | ¥2.59/个 |
| 100+ | ¥2.13/个 |
| 500+ | ¥2.13/个 |
| 800+ | ¥2.13/个 |
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