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LSGG08R060W3
扩展库- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 厂家型号
- LSGG08R060W3
- 商品编号
- C483747
- 商品封装
- TO-252-2
- 商品毛重
- 0.000371千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):9pF@40V,导通电阻(RDS(on)):6mΩ@10V,50A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):46nC@10V,漏源电压(Vdss):85V,耗散功率(Pd):96W,输入电容(Ciss):3948pF@40V,连续漏极电流(Id):80A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF@40V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V,50A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 输入电容(Ciss) | 3948pF@40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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