反向传输电容(Crss):9pF@25V,导通电阻(RDS(on)):8.5Ω@10V,1A,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):11.5nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,耗散功率(Pd):41W,输入电容(Ciss):343pF@100V,连续漏极电流(Id):2A,阈值电压(Vgs(th)):2V
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 9pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 8.5Ω@10V,1A | |
工作温度 | -40℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 11.5nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 500V | |
耗散功率(Pd) | 41W | |
输入电容(Ciss) | 343pF@100V | |
连续漏极电流(Id) | 2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥1.245/个 |
50+ | ¥1.096/个 |
150+ | ¥1.0321/个 |
500+ | ¥0.952/个 |
2500+ | ¥0.917/个 |
5000+ | ¥0.896/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.84364
2500 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉183.4元