反向传输电容(Crss):155pF,导通电阻(RDS(on)):22mΩ@10V,4.5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):41nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):62.5W,耗散功率(Pd):62.5W,输入电容(Ciss):1870pF,连续漏极电流(Id):40A,阈值电压(Vgs(th)):1.7V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 155pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V,4.5V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
耗散功率(Pd) | 62.5W | |
耗散功率(Pd) | 62.5W | |
输入电容(Ciss) | 1870pF | |
连续漏极电流(Id) | 40A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥3.41/个 |
10+ | ¥2.83/个 |
30+ | ¥2.57/个 |
100+ | ¥2.26/个 |
500+ | ¥1.9/个 |
1000+ | ¥1.82/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.6744
2500 PCS/盘
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