射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-65℃~+150℃@(Tj),晶体管类型:PNP,特征频率(fT):50MHz,直流电流增益(hFE):60@4A,1V,耗散功率(Pd):20W,集射极击穿电压(Vceo):80V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1V@8A,400mA,集电极截止电流(Icbo):10uA,集电极电流(Ic):8A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 50MHz | |
直流电流增益(hFE) | 60@4A,1V | |
耗散功率(Pd) | 20W | |
集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V@8A,400mA | |
集电极截止电流(Icbo) | 10uA | |
集电极电流(Ic) | 8A |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.497/个 |
50+ | ¥1.186/个 |
150+ | ¥1.0526/个 |
500+ | ¥0.886/个 |
2500+ | ¥0.812/个 |
5000+ | ¥0.768/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.74704
2500 PCS/盘
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