反向传输电容(Crss):20pF,导通电阻(RDS(on)):13mΩ@10V,栅极电荷量(Qg):62nC@10V,漏源电压(Vdss):200V,耗散功率(Pd):750W,输入电容(Ciss):4650pF,输出电容(Coss):410pF,连续漏极电流(Id):150A,阈值电压(Vgs(th)):3.6V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 20pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 200V | |
耗散功率(Pd) | 750W | |
输入电容(Ciss) | 4650pF | |
输出电容(Coss) | 410pF | |
连续漏极电流(Id) | 150A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V@250uA |