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PTY12HG08
扩展库- 品牌名称
- HT(金誉)
- 厂家型号
- PTY12HG08
- 商品编号
- C48782989
- 商品封装
- TO-263
- 商品毛重
- 0.002034千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):27.5pF,导通电阻(RDS(on)):4.1mΩ@10V,栅极电荷量(Qg):70.8nC@10V,漏源电压(Vdss):85V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):176W,输入电容(Ciss):4310pF,输出电容(Coss):694pF,连续漏极电流(Id):120A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 27.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70.8nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 176W | |
| 输入电容(Ciss) | 4310pF | |
| 输出电容(Coss) | 694pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.76/个 |
| 10+ | ¥4.67/个 |
| 30+ | ¥4.13/个 |
| 100+ | ¥3.59/个 |
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