反向传输电容(Crss):164pF,导通电阻(RDS(on)):14mΩ@2.5V,栅极电荷量(Qg):15nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.5W,输入电容(Ciss):1000pF,输出电容(Coss):182pF,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 164pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@2.5V | |
栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.5W | |
输入电容(Ciss) | 1000pF | |
输出电容(Coss) | 182pF | |
连续漏极电流(Id) | 8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.413/个 |
100+ | ¥0.329/个 |
300+ | ¥0.287/个 |
3000+ | ¥0.255/个 |
6000+ | ¥0.23/个 |
9000+ | ¥0.218/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.2346
3000 PCS/盘
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