射基极击穿电压(Vebo):7V,工作温度:-,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):50MHz,直流电流增益(hFE):100@1A,2V,耗散功率(Pd):1W,集射极击穿电压(Vceo):30V,集射极饱和电压(VCE(sat)):500mV,集电极截止电流(Icbo):1uA,集电极电流(Ic):3A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 7V | |
工作温度 | - | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 50MHz | |
直流电流增益(hFE) | 100@1A,2V | |
耗散功率(Pd) | 1W | |
集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV | |
集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
集电极电流(Ic) | 3A |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.722/个 |
50+ | ¥0.578/个 |
150+ | ¥0.506/个 |
500+ | ¥0.452/个 |
2500+ | ¥0.374/个 |
5000+ | ¥0.353/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.34408
2500 PCS/盘
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