反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.036Ω@2.5V,3.3A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):20nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):8.2A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.036Ω@2.5V,3.3A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
输入电容(Ciss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 8.2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.581/个 |
50+ | ¥0.461/个 |
150+ | ¥0.401/个 |
500+ | ¥0.356/个 |
2500+ | ¥0.281/个 |
5000+ | ¥0.263/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.265
2500 PCS/盘
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