导通电阻(RDS(on)):50mΩ@10V,5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):2W,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):0.4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V,5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.598/个 |
| 50+ | ¥0.47/个 |
| 150+ | ¥0.405/个 |
| 500+ | ¥0.357/个 |
| 2500+ | ¥0.319/个 |
| 5000+ | ¥0.3/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.29348
2500 PCS/盘
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