反向传输电容(Crss):63pF@10V,反向传输电容(Crss):70pF@10V,导通电阻(RDS(on)):115mΩ@1.8V,1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):3.8nC@4.5V,栅极电荷量(Qg):11nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1.1W,输入电容(Ciss):320pF@20V,输入电容(Ciss):745pF@20V,连续漏极电流(Id):3.4A,连续漏极电流(Id):2.5A,配置:共源,阈值电压(Vgs(th)):0.4V,阈值电压(Vgs(th)):0.4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 63pF@10V | |
反向传输电容(Crss) | 70pF@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@1.8V,1A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 3.8nC@4.5V | |
栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 1.1W | |
输入电容(Ciss) | 320pF@20V | |
输入电容(Ciss) | 745pF@20V | |
连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
配置 | 共源 | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.4V | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.829/个 |
50+ | ¥0.664/个 |
150+ | ¥0.581/个 |
500+ | ¥0.519/个 |
3000+ | ¥0.469/个 |
6000+ | ¥0.444/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.43148
3000 PCS/盘
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