反向传输电容(Crss):5pF@75V,导通电阻(RDS(on)):144mΩ@10V,2.3A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):6nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,耗散功率(Pd):1.6W,输入电容(Ciss):345pF,连续漏极电流(Id):2.3A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 5pF@75V | |
导通电阻(RDS(on)) | 144mΩ@10V,2.3A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 150V | |
耗散功率(Pd) | 1.6W | |
输入电容(Ciss) | 345pF | |
连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.947/个 |
50+ | ¥0.821/个 |
150+ | ¥0.767/个 |
500+ | ¥0.7/个 |
3000+ | ¥0.67/个 |
6000+ | ¥0.652/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.636
3000 PCS/盘
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