反向传输电容(Crss):138pF@8V,导通电阻(RDS(on)):46mΩ@2.5V,3.4A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):6.2nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):550pF@8V,连续漏极电流(Id):4.3A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):0.45V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 138pF@8V | |
导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@2.5V,3.4A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 1.25W | |
输入电容(Ciss) | 550pF@8V | |
连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.45V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.272/个 |
100+ | ¥0.214/个 |
300+ | ¥0.186/个 |
3000+ | ¥0.153/个 |
6000+ | ¥0.136/个 |
9000+ | ¥0.127/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.14076
3000 PCS/盘
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