射基极击穿电压(Vebo):5V,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):100MHz,直流电流增益(hFE):240@100mA,5V,耗散功率(Pd):1W,集射极击穿电压(Vceo):160V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.5V@500mA,50mA,集电极截止电流(Icbo):1uA,集电极电流(Ic):1.5A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
晶体管类型 | NPN | |
特征频率(fT) | 100MHz | |
直流电流增益(hFE) | 240@100mA,5V | |
耗散功率(Pd) | 1W | |
集射极击穿电压(Vceo) | 160V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V@500mA,50mA | |
集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
集电极电流(Ic) | 1.5A |