反向传输电容(Crss):150pF,导通电阻(RDS(on)):1mΩ@10V,栅极电荷量(Qg):84nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):156W,输入电容(Ciss):5400pF,输出电容(Coss):3600pF,连续漏极电流(Id):285A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 150pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 1mΩ@10V | |
栅极电荷量(Qg) | 84nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 156W | |
输入电容(Ciss) | 5400pF | |
输出电容(Coss) | 3600pF | |
连续漏极电流(Id) | 285A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥6.41/个 |
10+ | ¥5.2/个 |
30+ | ¥4.6/个 |
100+ | ¥4/个 |
500+ | ¥3.64/个 |
1000+ | ¥3.45/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.174
2000 PCS/盘
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