反向传输电容(Crss):650pF,导通电阻(RDS(on)):1.6mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):150nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,输入电容(Ciss):11500pF,输出电容(Coss):752pF,连续漏极电流(Id):190A,阈值电压(Vgs(th)):1.7V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 650pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 输入电容(Ciss) | 11500pF | |
| 输出电容(Coss) | 752pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 190A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.57/个 |
| 10+ | ¥2.9/个 |
| 30+ | ¥2.56/个 |
| 100+ | ¥2.23/个 |
| 500+ | ¥2.03/个 |
| 800+ | ¥1.93/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.7756
800 PCS/盘
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