导通电阻(RDS(on)):27mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):13nC@5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,连续漏极电流(Id):7A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.0381/个 |
| 50+ | ¥0.809/个 |
| 150+ | ¥0.711/个 |
| 1000+ | ¥0.588/个 |
| 2000+ | ¥0.533/个 |
| 5000+ | ¥0.501/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.54096
1000 PCS/盘
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