反向传输电容(Crss):41pF@15V,导通电阻(RDS(on)):46.2mΩ@4.5V,6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):2.55nC@10V,栅极电荷量(Qg):1.275nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):311pF,连续漏极电流(Id):6A,阈值电压(Vgs(th)):2.4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 41pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 46.2mΩ@4.5V,6A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 2.55nC@10V | |
栅极电荷量(Qg) | 1.275nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
输入电容(Ciss) | 311pF | |
连续漏极电流(Id) | 6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.63/个 |
50+ | ¥0.564/个 |
150+ | ¥0.531/个 |
500+ | ¥0.506/个 |
3000+ | ¥0.433/个 |
6000+ | ¥0.424/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.39836
3000 PCS/盘
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