反向传输电容(Crss):51pF@15V,导通电阻(RDS(on)):26.6mΩ@10V,6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):4.3nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):629pF@15V,连续漏极电流(Id):6A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 51pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 26.6mΩ@10V,6A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
输入电容(Ciss) | 629pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.125/个 |
50+ | ¥0.893/个 |
150+ | ¥0.794/个 |
500+ | ¥0.67/个 |
3000+ | ¥0.614/个 |
6000+ | ¥0.581/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.56488
3000 PCS/盘
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