反向传输电容(Crss):-,反向传输电容(Crss):50pF@10V,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):4.1nC@4.5V,栅极电荷量(Qg):4.2nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):0.83W,输入电容(Ciss):-,输入电容(Ciss):375pF@10V,连续漏极电流(Id):3A,阈值电压(Vgs(th)):0.5V,阈值电压(Vgs(th)):0.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
反向传输电容(Crss) | 50pF@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 4.1nC@4.5V | |
栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 0.83W | |
输入电容(Ciss) | - | |
输入电容(Ciss) | 375pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.5V | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.5V |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥2.335/个 |
10+ | ¥1.881/个 |
30+ | ¥1.687/个 |
100+ | ¥1.444/个 |
500+ | ¥1.336/个 |
1000+ | ¥1.124/个 |
3000+ | ¥1.111/个 |
6000+ | ¥1.102/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.02212
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉266.64元