反向传输电容(Crss):116pF@25V,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):850V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):4480pF@25V,连续漏极电流(Id):-,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):5.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 116pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 850V | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 4480pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | - | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥66.59/个 |
10+ | ¥57.1/个 |
30+ | ¥51.32/个 |
100+ | ¥46.47/个 |
102+ | ¥46.47/个 |
104+ | ¥46.47/个 |
整盘
单价
整盘单价¥47.2144
30 PCS/盘
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