反向传输电容(Crss):116pF@25V,导通电阻(RDS(on)):105mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):850V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):4480pF@25V,连续漏极电流(Id):50A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):5.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 850V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 4480pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥66.59/个 |
| 10+ | ¥57.1/个 |
| 30+ | ¥51.32/个 |
| 100+ | ¥46.47/个 |
| 102+ | ¥46.47/个 |
| 104+ | ¥46.47/个 |
整盘
单价
整盘单价¥47.2144
30 PCS/盘
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