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N沟道碳化硅功率MOSFET
扩展库- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 厂家型号
- HSCM0020065K
- 商品编号
- C49823493
- 商品封装
- TO-247-4L
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
导通电阻(RDS(on)):20mΩ@18V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):187nC@40A,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):312W,连续漏极电流(Id):92A,阈值电压(Vgs(th)):2.6V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@18V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 187nC@40A | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 312W | |
| 连续漏极电流(Id) | 92A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥82.42/个 |
| 10+ | ¥78.68/个 |
| 40+ | ¥72.2/个 |
| 100+ | ¥66.55/个 |
| 102+ | ¥66.55/个 |
| 104+ | ¥66.55/个 |
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