反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):240V,耗散功率(Pd):750mW,输入电容(Ciss):200pF@25V,连续漏极电流(Id):200mA,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 240V | |
耗散功率(Pd) | 750mW | |
输入电容(Ciss) | 200pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 200mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥6.37/个 |
10+ | ¥5.36/个 |
30+ | ¥4.81/个 |
100+ | ¥4.18/个 |
500+ | ¥3.9/个 |
1000+ | ¥3.77/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.716
4000 PCS/盘
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