反向传输电容(Crss):20pF,导通电阻(RDS(on)):2Ω@10V,1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):700mW,输入电容(Ciss):75pF@18V,连续漏极电流(Id):450mA,阈值电压(Vgs(th)):2.4V
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 20pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V,1A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 700mW | |
输入电容(Ciss) | 75pF@18V | |
连续漏极电流(Id) | 450mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥2.193/个 |
50+ | ¥1.737/个 |
150+ | ¥1.542/个 |
500+ | ¥1.298/个 |
2500+ | ¥1.19/个 |
4000+ | ¥1.124/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.03408
4000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉359.68元