反向传输电容(Crss):20pF,导通电阻(RDS(on)):2Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):700mW,输入电容(Ciss):75pF,连续漏极电流(Id):450mA,阈值电压(Vgs(th)):2.4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 输入电容(Ciss) | 75pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 450mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.607/个 |
| 50+ | ¥2.151/个 |
| 150+ | ¥1.956/个 |
| 500+ | ¥1.712/个 |
| 2500+ | ¥1.603/个 |
| 4000+ | ¥1.538/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.41496
4000 PCS/盘
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