反向传输电容(Crss):230pF,导通电阻(RDS(on)):6.5mΩ@10V,15A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):17nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):79W,输入电容(Ciss):2330pF,连续漏极电流(Id):86A,阈值电压(Vgs(th)):1.35V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 230pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V,15A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 79W | |
输入电容(Ciss) | 2330pF | |
连续漏极电流(Id) | 86A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.35V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥5.328/个 |
10+ | ¥4.374/个 |
30+ | ¥3.897/个 |
100+ | ¥3.42/个 |
500+ | ¥2.844/个 |
1000+ | ¥2.691/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.606
2000 PCS/盘
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