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STD11N65M2
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STD11N65M2
- 商品编号
- C500947
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 商品毛重
- 0.00047千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):670mΩ@10V,3.5A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):12.5nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):85W,输入电容(Ciss):410pF@100V,连续漏极电流(Id):7A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 670mΩ@10V,3.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 输入电容(Ciss) | 410pF@100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.397/个 |
| 10+ | ¥2.485/个 |
| 30+ | ¥1.776/个 |
| 100+ | ¥1.659/个 |
| 500+ | ¥1.609/个 |
| 1000+ | ¥1.584/个 |
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