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STD5NM60T4
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STD5NM60T4
- 商品编号
- C500961
- 商品封装
- DPAK
- 商品毛重
- 0.000389千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):10pF@25V,导通电阻(RDS(on)):900mΩ@10V,2.5A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):18nC@10V,漏源电压(Vdss):-,耗散功率(Pd):96W,输入电容(Ciss):400pF@25V,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V,2.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.54/个 |
| 10+ | ¥5.02/个 |
| 30+ | ¥4.73/个 |
| 100+ | ¥4.4/个 |
| 500+ | ¥4.26/个 |
| 1000+ | ¥4.19/个 |
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