反向传输电容(Crss):18pF@25V,导通电阻(RDS(on)):850mΩ@10V,2.7A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):400V,耗散功率(Pd):70W,输入电容(Ciss):535pF@25V,连续漏极电流(Id):5.4A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 18pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V,2.7A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 400V | |
耗散功率(Pd) | 70W | |
输入电容(Ciss) | 535pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥5.38/个 |
10+ | ¥4.45/个 |
30+ | ¥3.98/个 |
100+ | ¥3.52/个 |
500+ | ¥3.24/个 |
1000+ | ¥3.09/个 |
2500+ | ¥3.06/个 |
5000+ | ¥3.04/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.8152
2500 PCS/盘
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