反向传输电容(Crss):30pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.4Ω@10V,5.5A,工作温度:-65℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):43.6nC@10V,漏源电压(Vdss):800V,耗散功率(Pd):150W,输入电容(Ciss):1630pF@25V,连续漏极电流(Id):11A,阈值电压(Vgs(th)):5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 30pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.4Ω@10V,5.5A | |
工作温度 | -65℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 43.6nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 800V | |
耗散功率(Pd) | 150W | |
输入电容(Ciss) | 1630pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 11A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥10.44/个 |
10+ | ¥8.69/个 |
50+ | ¥7.73/个 |
100+ | ¥6.65/个 |
500+ | ¥6.17/个 |
1000+ | ¥5.95/个 |
2000+ | ¥5.88/个 |
4000+ | ¥5.83/个 |
整盘
单价
整盘单价¥7.1116
50 PCS/盘
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