反向传输电容(Crss):49pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.64Ω@10V,5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):59nC@480V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):35W,输入电容(Ciss):1740pF@25V,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.64Ω@10V,5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 59nC@480V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 输入电容(Ciss) | 1740pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥7.58/个 |
| 10+ | ¥6.24/个 |
| 50+ | ¥5.5/个 |
| 100+ | ¥4.67/个 |
| 500+ | ¥4.3/个 |
| 1200+ | ¥4.14/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.06
50 PCS/盘
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